Главная » Книги и журналы

1 ... 27 28 29 30 31


Рис. 16.2. Масс-спектрограф, предназначенный для контроля герметизации корпусов в серийном производстве

3. Способ предназначен для проверки герметизированных корпусов и изделий. Возможны два варианта: в первом используется гелий и масс-спектрограф; во вто-

)ом - криптон Кг и счетчик Гейгера.

ерметизированный корпус помещается в автоклаве (рис. 16.1), в который вводится газ под требуемым давлением. Если в корпусе или соединительном шве имеются неплотности, газ проникает внутрь корпуса. Затем исследуемый корпус помещается в камеру, соединенную с масс-спектрографом или счетчиком Гейгера, которые фиксируют обратную утечку газа из корпуса в камеру.

4. В корпус во время герметизации вводится газ. Давление газа должно быть около 0,1 МПа, если не требуется более высокое давление. Затем корпус помещается в вакуумной камере, соединенной с масс-спектрографом. Он фиксирует количество газа, выходящего через неплотности.

Имеется промышленное оборудование, предназначенное для контроля указанными способами (рис. 16.2). Производительность его 250 изделий в час, а максимальная чувствительность по гелию 6-10~л-мм рт-ст./с.

Простой метод обнаружения пор и щелей в швах соединения металлических корпусов основан на явлении флюоресценции. Герметизированное изделие погружают в масло, подогретое до температуры 90 ± 5° С. Масло должно обладать свойствами флюоресценции в течение нескольких минут. После извлечения корпуса из сосуда с маслом оно удаляется с его поверхности. Поверхность осматривают при облучении ультрафиолетовым излучением. Щели и поры, в которых остались следы масла, начинают ярко светиться.

Обнаружение больших щелей возможно также при погружении герметизированных изделий в водный раствор, содержащий примеси, уменьшающие поверхностное натяжение. Испытания проводятся в автоклаве при повышенном давлении. После этого проверяют электрические параметры испытываемых изделий. В плохо герметизированные изделия попадает вода, вызывая ухудшение их электрических параметров.

Для проверки танталовых конденсаторов с твердым электролитом, спрессованных эпоксидной пластмассой.йрименяют испытание на искрение в водном растворе. При испытании конденсатор погружается в электролит с невысоким электрическим сопротивлением. Соединенные вместе выводы конденсатора подключаются к положительному



полюсу источника постоянного напряжения 600 В. Под конденсатором в растворе помещена никелевая пластина, служащая катодом и подключенная к отрицательному полюсу источника. На поверхности конденсаторов, имеющих неплотности герметизирующего покрытия, наблюдается искрение. Такие конденсаторы бракуют.

16.3. ИСПЫТАНИЕ НА ВЛАГОУСТОЙЧИВОСТЬ

Согласно требованиям стандарта IEC 68, а также PN-73/E - 04550 предусматриваются два не исключающие одно другое испытания: Са - влага при постоянной повышенной температуре и D - то же, но при циклическом изменении температуры.

Испытания Са проводятся при температуре 40 ± 2° С и относительной влажности 90...95%. Предусмотрены четыре длительности испытаний: 4, 10, 21 и 56 суток. Допускаются испытания длительностью 7 и 14 суток.

Циклические испытания подразделяются на два вида: Da - для сборочных узлов и Db - для аппаратуры и блоков. В обоих случаях цикл испытаний составляет 24 ч. При испытании сборочных узлов вьшолняются 1, 2 или 6 циклов, при испытаниях аппаратуры - 1, 2, 6, 12, 21 или 56 циклов. В течение цикла испытаний выдерживаются следующие режимы.

Da : 2, 5 ч при температуре 25 55° С и относительной влажности Ф = 80...100% + 16,5 ч при 55° С и ф = 95...100% + 3,5 ч при 55...25° С, ф 80...100% + 1,5 ч при 25° С и ф = 80...100%.

Db : 3 ч при температуре 25 -> 40° С и относительной влажности Ф = 95... 100% + 9,5 ч при 40°.С и ф = 90...96% + 31/4 ч при 40- -.25° С, ф 95...100% + 6,5 ч при 25° С и ф 95...100%.

Испытания Da могут проводиться при максимальной температуре 55° С вместо 40° С.

Стандарт Mil-STD-106С предусматривает испытания в течение 10 цииюв, причем каждый состоит из семи этапов. Последний разделяется на подэтапы 7а и 7Ь. Подэтап 7а начинается не раньше, чем через 1 ч, и не позже, чем через 4 ч, от начала седьмого этапа и состоит в понижении температуры в камере до - 10 ± 2° С на 3 ч без воздействия влаги. Подэтап 7Ь начинается через 15 мин после подэтапа 7а и состоит в воздействии на изделие вибрации с амплитудой 0,15 мм и частотой 10...55 Гц. Переход от частоты 10 Гц к частоте 55 Гц и обратно продолжается не менее 1 мин. Испытания могут проводиться при подаче на изделия напряжения 100 В, если особые условия не предусматривают подачи иного напряжения.

Окончательный контроль параметров изделий выполняется после 6-го этапа 10-го цикла в условиях высокой влажности (90...98%) и температуре 25 ±2° С в течение 0,5...3,5 ч от момента достижения нужной влажности. Независимо от этого параметры изделий измеряются спустя 1...2 ч после их извлечения из камеры влаги.

В некоторых случаях предусматривают окончательное измерение спустя 24 ч после пребывания в нормальных условиях после окончания 10-го цикла 6-го этапа или после измерений при высокой влажности.





Рис. 16.3. Исследование качества герметизации резисторов электрохимическим

методом:

1 - металлический электрод: 2 - керамика; 3 - исследуемый герметизирующий слой; i - ме-

таллоплеиочный резистор

В качестве испытаний на влагоустойчивость в известной мере может быть признан метод испытаний при резкой смене температуры с помощью двух водяных ванн. Согласно Mil-STD-202D Method 104А изделия погружают в водяную ванну с температурой 65° С и затем быстро переносят в ванну, температура воды в которой 0° С. Периоды пребывания, в каждой ванне составляют 15 или 60 мин, число циклов 2...5. Согласно PN-73/E-04550 температура составляет 100 и 0° С, период пребывания в ванее 5 мин, число циклов 9.

Наблюдается тенденция к использованию методов испытаний на влагоустойчивость, в которых используются все более высокие значения температуры и влажность при сокращении времени испытаний. Крайним; примером такого подхода являются уже упоминавшиеся испытания в автоклаве с водяным паром под давлением [131, 79].

Испытания в автоклаве производятся при давлении насыщенного водяного пара 1,2...1,75 кПа и температуре 123...13Г С от нескольких часов до нескольких дней. Метод этот сравнительно новый и не включен ни в один стандарт. Встречаются разные варианты этого метода, в том числе при давлении 400 кПа (4 атм), переменных температурных циклах, подаче напряжений на исследуемые в актоклаве изделия и т. д.

Например, в одном из испытаний [78] керамические конденсаторы емкостью 15 пФ, опрессованные эпоксидной пластмассой, испытыва-лись в автоклаве с водяным паром при 12ГС и давлении 200 кПа и двух режимах: под электрическим напряжением в течении 70 ч и без напряжения в течение 180 ч. Во время испытаний измерялась электропроводность конденсаторов на частоте 1 МГц, наиболее критичной с точки зрения влияния влаги. Испытания выявляют одновременное воздействие влаги и ионных загрязнений, находящихся в пластмассе.

Как уже отмечалось, сокращение времени испытаний по определению качества герметизации изделий с помощью синтетических материалов стараются достигнуть путем одновременного воздействия на изделия электрического напряжения. Один из вариантов таких испытаний разработан для металлопленочных резисторов, герметизированных с помощью эпоксидных смол [78]. Согласно этому методу на поверхность герметизирующего покрытия из эпоксидной смолы наносится слой



металла и между ним и резистивньш слоем включается напряжение 100 В (рис. 16.3). Резисторы на 10 суток помещают в камеру с влажностью 95...98% и температурой 25...75° С. После окончания испытаний определяется изменение сопротивления каждого резистора, обусловленного электрохимической коррозией резистивного слоя. Механизм воздействия влаги состоит прежде всего в диссоциации примесей, которые только в виде ионов становятся подвижными и могут перемещаться в электрическом поле. При этом влага стимулирует электро- химическую коррозию. Таким образом, метод дает возможность комплексного исследования факторов, определяющих качество герметизации. Испытания проводятся с большой партией резисторов, а критерием оценки служит показатель, вычисляемый по формуле

Я=100

2 А/?.

\ I Г

где N - число испытываемых резисторов; F - число резисторов с отклонением сопротивления Aij > 0,4%. При этом такие резисторы признаются непригодными.

Величина в знаменателе сильно влияет на значение критерия Я в случае возн11Кновения повреждений (табл. 16.1).

Проверка проникновения влаги вдоль выводов при помощи флю-, оресцирующих красителей, в отличие от ранее рассмотренных способов, относится к разрушаемому виду контроля. Объект контроля пропитывают в водном растворе флюоресцирующего красителя (на-

Таблица 16.1. Результаты испытаний качества герметизации с помощью различных эпоксидных композиций методом изменения сопротивления металло-пленочных резисторов [78]

Смола

Отвердитель

Наполнитель

Поглощение воды после 24 ч, %

Показатель Я, %

Циклоалифатическая

PDMA PDMA

Слюда SiOa

0,06 0,07

PDMA

Zr02

0,07

Слюда

0,09

0,10

MPDA

SiOz

0,09

SiOs-f

MPDA

-f стеклян-

0,23

ное волокно

Эпоксидно-новолачная

PMDA

SiOs

0,05

MPDA

Слюда

0,08

MDA

SiOs

0,11

MPDA

Si02

0,14

Эпоксидно-диановая

MPDA PMDA

Слюда SiOz

0,014 0,12

32 55

Обозначения. BF - фталевый ангидрид, NMA - надик ангидрид, MPDA - метафенил-диамин, PMDA - модифицированный ароматический амин, MDA - метилфенилендиамин.



пример, Magnaflux High Rez Zyglo) [79]. Пропитка выполняется в автоклаве при давлении около 400 кПа в течение 1 ч. После пропитки изделие разрезают вдоль так, чтобы выводы находились в плоскости разреза, и производится осмотр в лучах кварцевой лампы. Участки, в которые проникла влага, ярко светятся. Некоторые виды пластмасс могут действовать на раствор красителя как фильтр и задерживать его вследствие адсорбционного эффекта. Поэтому результаты испытаний

неоднозначны, однако свечение вдоль выводов определенно свидетельствует о проникновении влаги. Достоверными являются испытания, в которых используется радиоактивный тритий и регистрируется он счетчиком Гейгера [79].

Краситель (не обязательно флюоресцирующий, например, раствор соли с фенолфталеином) используется также при испытаниях изделий,

, герметизированных в полых корпусах. Изделие погружается в горячий раствор с красителем, в некоторых случаях применяется автоклав. Затем его разрезают, чтобы выявить, не проник лн внутрь красящий раствор. Разумеется, использование флюоресцирующего красителя облегчает контроль.

16.4. ДРУГИЕ МЕТОДЫ ПРОВЕРКИ КАЧЕСТВА ГЕРМЕТИЗАЦИИ

Кроме исследований на отсутствие неплотностей и на воздействие влаги, влияние которых на параметры изделий наиболее сильно, существует ряд других методов испытаний изделий на устойчивость к воздействию климатических и механических факторов [П7]. Они дают ценную информацию о качестве герметизации, описаны в ряде обширных монографий и регламентированы стандартами (PN, Mil). Это испытания в соляном тумане, испытания при низкой и высокой температуре, при пониженном атмосферном давлении, испытания на устойчивость к солнечной радиации и термоударам (МП-8ТО-883 Method 1011), к воздействию песка и пыли.



список ЛИТЕРАТУРЫ

1. Agnew J. The case for transfer molding. Electron. Packag. and Product.

1972, № 1, p. 73.

2. Andre C, Regnault J. Problemes de riabilite lies a 1encapsulation plastique des circuits integres.- LOnde Electr., 1972, № 3, p. 121.

3. Антоиевич Я. Свойства диэлектриков.-Варшава: НТИ (WNT), 1971.

4. Anwendung pulverartiger polymerer Stoffe fiir elektrische isolierung.- Elekt-rie. 1970, № 4, S. 127.

5. Balk P., Eldridge J. JW. Phosphosilicate glass stabilization of FET devices.- - Proceedings of the IEEE, 1969, № 9, p. 1558

6. Bamet J. Single-layer packaging slashes ceramic - DIP cost in half.- Electronics, 1923, №21, p. 119-121.

7. Baxter G. K. Thermal package design and the shape factor.-Electron. Packag. and Product., 1973, № 2, p. 34-40.

8. Barry A. L. Packing with tubing and sleeving. - Electronic Packing and Production, 1968, № 5, p. 111-120.

9. Biuletyn Informacyjny f-my CIBA: Gebrauchsanweisung fiir Araldit F, Harter HY 905 + Dy061, DY040, DY021, Dy022, Dy023.

10. Black R. G. at al. Linear polyazelovic polyanhydride as a conwerter for epo-xy resin systems. SPE 20-th Antec Conf. USA, 1964.

11. Blecke L. Automatiesche Vakuum-Giessanlage zum kontinuierlichen dosierten Vergiessen von Harzmassen mit abrasiven Fiillstoffen.- Kunstsoff-Rundschau, 1971, № 10, S. 495.

12. Богородицкий И. П., Пасынков В. В. Материалы радиоэлектронной техники.- М.: Высшая школа, 1969.

13. Bower Н. F. Hermetic sealing of integrated circuit packages.- Solid State Technology, 1970, № 8, c. 56.

14. Beceasic A. J. Conformal coatings for printed circuit assemblies.- Insulation,

1973, № 12.

15. Brauor J. B. at. al. Can plastic encapsulated provide reliability with economy. ,- Microelectronics, 1971, № 1, p. 5.

16. Brzezinskl J. Powloki z tworzywsztucznych.- Wiadomosci Elektrotechniczne, 1973, № 12, s. 448.

17. Suchanan R. C, Reebor M. D. Thermal consideration in the design of hybrid microelectronic packages.- Solid State Technology, 1973, № 2, p. 39.

18. Budnick A. S. Manufacturing the plastic dual - in - line integrated circuit. - Solid State Technology, Aug. 1968, p. 37.

19. Burgess T. E. at al.: Thermal diffusion of sodium in silicon nitride shielded silicon oxide. J. Electrochem. Soc. 1969, № 7, p. 1005.

20. Carrn M. L. Plastics ICs demand new physical.- Electronics, May, 1969. p. 147.

21. Christensen A. Dielectric C3el - A new sillicone potting compound. Proceedings, 2-d National Conference on Electrical Insulation, Washington, Dec. 1959.

22. Хробак П. и др. Технология толстопленочных микросхем.- Работа PIE, 1973. fv.i

23. Хробак П. Обработка проводящих структур,? разделенных диэлектриком.- Работа PIE. 1973.

24. Chu Т., L., Lec С. Н.. Gruber G. А. The preparation and properties of amorphous silicon nitride films.-J. Electrochem. Soc, 1967, No 7, p. 717.

25. Clay W. M. Cleaning problems associated with the manufacture of printed circuit boards. - Referat z Sympozium w Instytucie of Metal Finishing. October, 1965.



2С. Clenientson J. J., Clay W. M. New cleaning and drying techniques for critical electronic assemblies.- Referat z Konferencji INTER NEPCON. Brighton, 14 - 16 Oct. 1969. . s .

27. Cole G. R.: Hermetic seal by thick film techniques.- Solid State Technology, 1968, № 8, p. 43. ,

28. Crank J., Рагк G. S. Diffusion in Polymers. London, 1968, Academic Press.

29. Davidse P. D., Maissel L. I. Dielectric thin films through of sputtering.- J. Appl. Phys. 1966, № 2, p. 574.

30. Dobson O. Junction-coating resins improve s.c. performance,- Electronic Engineering, 1971, № 3, p. 47.

31. Дульнев Г. Н. Теплообмен n электронных устройствах п vix э.г|ементах---Варшава: НТИ, 1968.

i32. Dunimer G. W. A., Grifiii N. B. Environmental Testing Techniques for Electronics and Materials. New York 1962, Pergamon Press.

33. Efer K. Die korosive Wirkung von Elektroisolierstoffen imd Konstrukfion-, swerkstoffen aus Plasten.- Formeldetechnik, 1969, № 9, S. 212.

34. Everitt J. Reliability of plastic semiconductors.- Electronic Equipment News, 1969, № I, p. 34.

35. Fehr G. K. Microcircuit Packaging and Assembly-State of the Art.-Solid State Technology, 1970, № 8, p. 41.

36. Flaherty P. X., King G. E. Advances in plasTics packaging of semiconductors.- Solid State Technology, 1965, № 6, p. 18.

37. Golden F. B. Analysis can take the heat of power semiconductors. - Electronics, 1973, № 25, p. 103.

38. Гурал r. Отчет о работе, выполненной в ITP (Z- 104). Варшава. 1971.

39. Grcgor L. V. Passivation of semiconductor surfaces.- Solid State Technology 1971, № 4, p. 37.

J 40. Griffin L. K. Which solvent for ultrasonic cleaning.- Industrial Elect-ronics, 1967, № 6, p. 289.

41. Grossman E. Plastic packages pressen. Electronics, 1973. № 21, p. 80.

42. Grossman S. The thermal demands of electronic desing. - Electronics. 1973, №23. p. 98.

43. Гутковский P. и др. Спаи керамики с активным металлом.- Электроника, № 10, с. 501. 1971.

44. Хацкевич Г. Лаковые покрытия для электронзоляции: Отчет о работе ITP

(T-91I). - Варшава, 1969.

45. Hanig G., Kuss Н. Untersuchungergebnisse von einigen wirbelsinterfahigen Epoxidharspulwern unter dem aspekt der Verwendung als Isolierstoff fur I Elektromotoren.- Elektrie. 1967, № 1. S. 14.

46. Harper Ch. A. Electronic Packaging with Resins. New York 1961. McGraw-Hill.

47. Harper Ch. A. Handbook of Electronic Packing. New York 1969, McGraw-Hill.

48. Harper Ch. A. Handbook of Materials and Precessing for Electronics. New York 1972, McGraw-Hill.

49. Harper Ch.A. Plastic for Electronics. Chicago 1964, Kiver Publications.

50. Hartman H. S. Hybrid Microelectronic Conference, 1969, Dallas, Texas, p. 153.

51. Hardwick N. E. Thermal impedance of ceramic packages using beamlead 1С chips.- Proceeding of the IEEE, 1969, № 9, p. 1616.

f 52. Heinle J. P. Plastic for semiconductor encapsulation. 26-th Annual Technical Conference, 100 Years of American Plastics Progress, 6-10 May 1968, V. 14, p. 703.

53. Henderson A. W. Encapsulation materials: plastics.-Component Techolo-gy, 1969, №3, p. 5.

54. Hirsch H. Resin system for encapsulation of microelectronic package.- Solide State Technology, 1970, № 8. p. 48.

55. Hogan R. Glass joints flow better by using solder sealing glass.- The Engineering, 1973, March 8, p. SO.

56. Hnatek E. R. Epoxy package increases 1С reliability.-Solid State Techno-. logy, 1972, № 11, p. 44.



57. Ни S. М., Gregor L. V. Silicon nitride films by reaciive sputtering.- ,1. Electrochem. Soc, 1967, № 8, p. 826.

58. Jaskolska Z. Nieroda B. Technologia stosowania lakierow elektroizolacy-jnych. Warszawa 1969, WNT.

59. Jowett S. Materials in Electronics. London, 1971, Bussines Boox.

60. Katalog f-my General Electric USA, RTV Silicon Rubber.

61. Katalog f-my Emerson and Cuming Inc. USA, Stycast epoxy casting resins.

62. Katalog f-my Imperial Smelting. Anglia. Fluorocarbon liquids for elektrical use, 1968.

63. Katalog r-my International Technical Industries USA. Magnetostructive Pressure Transductor.

64. Katalog f-my LQneburger Wachs-Chemie RFN.

65. Katalog f-my Chemifarb.

66. Katalog f-my Dow Corning. USA.

67. Kaiser H. D. at al. A fabrication technique for multilayer ceramic modules.-

- Solid State Technology, 1972, No 5p. 35-40.

68. Klosowska - Wolkowlcz Z., Krolikowski W., Penczek P.:- ywice i laminaty poliestrowe. Warszawa 1969, WNT.

69. Kotecki J. Rezystory. Warszawa, 1970, WKiL.

70. Kahl O. F.Szklo i ceramika jako material dla przemyslu elektronicznego. - Referat na naukowo-technicznym sympozjum Corninga. Warszawa, 22- 23, V. 1973.

71. Kobayashl M. Humidity influence on capacitance stability. - Rev. Elec. Com. Labor., 1971, №9-10, p. 994.

72. Kubota Y., lletake Т., Salto, T. Properties of epoxy resins as an encapsulating material. - Rev. of the Electrical Com. Labor., 1971, № 9-10, p. 1026.

73. Larson В., A solution to thermoset neflashing problems. - Plastics Desing and Processing, March 1969.

74. Latham G. R., Bimson A. An evaluation of plastic transistor. - Electronic Components, 1967, № 5, p. 518.

75. Lee S. Л1., Eisenberg P. H. Improved metdod for detecting pinhols in thin polymer films. - Indulation, Aug. 1969, p. 97.

76. Licari J. J., Browing G. V. Plastic for packaging: handle with care. - Electronics, Apr. 1967, p. 101.

77. LInowitzkl V., Hoffmann W. Messung der Wasserdampfdurchlassigkeit von Folien mit Hilfe von tritiumhaltigen Wasser.-Kunststoffe, 1965, № 10, S. 765.

78. Liebowitz H. A. Selection of epoxy encapsulants for precision electronic components. - 26-th Annual Technical Conference, N. Y., 1968, 6-10 May. 100 Years of American Plastics Progress.

79. Licari J. J. Plastic Coatings for Electronics. N. Y. 1970, McGraw-Hill.

80. Lockhart F. J., Kookootsedes G. J. Silicone melding compounds for semiconductors. - Modern Plastics, 1968, № 1, p. 150.

81. Maguire C. F. at al. Plastic encapsulated transistors. - Solid State Technology, № 8, p. 37-43.

82. Maguire C. P. at al. Silicon nitride improvement of improwement of reliability of mass produced transistors. - Solid State Technology, 1972, № 4, p. 46.

83. Mandel A. P., Vahey P. Thermal design criteria for hybrid mici-oelectronics.

- Hybrid Microelectronics Symposium, Dallas Texas 1969.

84. Mandel A. P. Thermal resistance as a function of operating temperature for hybrid microelectronic modules.- Hybrid Microelectronics Symposium, Dallas Texas 1969, p. 301.

85. Marshall S. В., Dewey R. F. Plastic Power ICs need skillful thermal design.- Electronics, 1973, № 23, p. 102.

86. Marrlner M. D., Hempelman J. P.: Encapsulation of resistors. -Component Technology, 1959, №3, p. 11.

87. Mandol A. P., Vahey P. Thermal design criteria for hybrid microelectronics.- Microelectronics, Apr. 1969. p. 36-39.

88. Markstein W. H.: Package sealing techniques. - Electronic Packaging and Production 1970, № 10, p. 21.

89. Электроизоляционные материалы: Сб. статей. - Варшава: НТИ, 1969.



90. McMillan at al. Glass-ceramics for the coating and bonding of silicon semiconductor material. - Microelectronics and Reliability, 1969, №2, p. 113.

91. Merrin S. Glass its vital role in semiconductor packaging. -Package Components Active, Dec. 1971.

92. Mermel H. Plastics encapsulation: which way. - Plastics Techroloev 1971 №6. p. 31.. ey. ,

93. Metz E. D. Metal problems in plastics encapsulated integrated curcuits

Proc. of IEEE, 1969, № 9, p. 106.

94. Meyer C. L. Powder epoxy electrical insulating resins.-- SPE J., 1969, № 6, p. 65.

95. Schlacter M. M. at al. Advantages of vapor -plated phosphosilicate films in larg. scale integrated circuit arrays. - IEEE Trans. Electron Devices, 1970, № 12, p. 1077 - 1083.

96. Михайлов M. M. Влагопроиицаемость органических диэлектриков. - М.: Госэнергоиздат, 1960.

97. Mil-STD-202, Mil-STD-750, Mil STD-883.

98. Modern Plastics Encyclopedia. New York 1973, McGraw-Hill. 99. New standard spiral test. - Modern Plastics, 1968, № 2, p. 104-108.

100. Nixen D. Set your own 1С package standards. - Electronic Design March 1968, p. 56

101. Nufer R. W., Anderson L. C. Evaluation of epoxy encapsulants and their levels of contamination. Solid State Technology, 1971, № 8, p. 33.

102. Oburger W. Die Isolierstoffe der Elektrotechnik. Wien 1957, Springer-Verlag.

103. Olberg R. C: The effects of epoxy encapsulant composition on semiconductor devices stability. - J. Electrochem. Soc, 1971, N 1, p. 129.

104. Ольчик В. Полиуретаны. - Варшава: НТИ, 1968.

105. Olkusnik М., Ziemba В.: Wlasciwosci tworzyw dewitryfikacyjnych for-mowanych termoplastycznie. - Szklo i Ceramika, 1972, № 1, s. 9-12.

106. Plastic semiconductors: like glued together automobiles. - Electronics, Apr., 1967, p. 106.

107. Лаковые покрытия: Справочник. - Варшава: НТИ, 1970.

108. Postlethwaite А. Ш. Hermetic and non-bermetic packaking. - Solid State Technology, Aug. 1970, p. 97.

109. Технологические процессы в полупроводниковой электронике. - Варшава: НТИ, 1973.

110. Metody badan 1 oceny tworzyw sztucznych. -Praca zbiorowa. Warszawa 1970, WNT.

111. Preis W., Blencke L. Kuntinuierliches Vergiessen von Giessharzen mit Fullstoffen. ETZ, B. 1971, № 6, S. 124-126.

112. Penczek P., Brojer Z., Hertz Z. Zywice epoksydowe. Warszawa 1972, WNT.

113. Reach H. AUylic resins and monomers. New York 1965, Reinhold Publ Co.

114. Reich B. Plastics semiconductors devices and integrated circuits for millitary applications. - Solid State Technology, 1970, N 1, p. 53.

115. Reich В., Hakim B. Reliability of plastic encapsulated transisters and integrated circuits. - Microelectronics and Reliability, 1971, № 12, p. 461.

116. Reich В., Hakim B. Temperature-humidity acceleration factors for plastics transistors and integrated circuits. - Solid State Technology, 1972, № 9, p. 65.

117. Rinqel S. Chemical removal of termosets. - SPEJ, 1969, № 7, p. 44.

118. Ротнишевский П. Использование кремнийорганических материалов. - Варшава: НТИ, 1964.

119. Роздзял П. Технология производства алюминиевых электролитических конденсаторов с расширенным температурным диапазоном: Дисс. д.ра наук. - Варшава, 1972.

120. Роздзял П. Влияние состава композиции синтетических материалов на стабильность электрических параметров. - Телекоммуникационные ведомости, № 9, 10, 1971.

121. Роздзял П. Синтетические материалы в электронике. - Варшава: WNT, 1970.

122. Рихтер т., Бартакова В. Тропикализация электронных устройств. - Варшава: WNT 1966.



123. Scapple R. Y., Keister F. Z.: A simplified lo hybrid thermal desing. - Solid State Technology, 1973, № 10, p. 51.

124. Шварц Т. Термокинетика электротермических устройства. - Варшава: WNT 1966.

125. Scrupski S. Е. Plastic cavity packages for iVlOS LSI fill a very present need-but for how long.- Electronics, 20 May 1972, p. 102.

126. Seely J. H., Cupta 0. R. Thermal conductance and its effect on electronic packages-Hybrid microelectronics symposium. Dallas Texas, USA, 1969.

127. Segro N., Beachan H. H. New diallyl resins for low pressure of electronic com> ponents. - Modern Plastics, 1971, № ю, p. 37.

128. Segro N., Bacham H. И. Pressure sensitive-device encapsulation with new diallyl resins. - Electron. Packag. and Production, 1970, № 10, p. 57.

129. Semiconductors plastic take over, т 2, 3. - Electronic Procurement, 1900, №7, p. 27.

130. Сидерис Г. Приборы и устройства микроэлектроники: Соединение и монтаж. - Варшава: НТИ, 1972.

131. Отчет об исследованиях ИС в лаборатории фирмы National Semiconductor Corp. -;роху В Process, 1972.

132. Отчет об исследованиях в лаборатории фирмы Shell Resin and Surface Coating Devision, 1966.

133. Stein J. S.: Thick film materials for electro-optical applications. - Electronic Components Conference, Washington, D. C. 15-17 May 1972.

134. Stucki F. F. at al. iVleasuremnt of stresses in encapsulated electronic modules. - IEEE Transation on parts, materials and packaging, 1965, № 1, p. 178.

135. VerderbeiR. P., at al. SiOg/SiaN* Passivation of high power rectifiers.- IEEE Trans, of Electron. Devices, Sept. 1970, p. 197.

136. Tarone T. T. Thermal analysis of semiconductor devices assembled by various packaging techniques. - Hybrid Microelectronic Conf. 1969, Dallas, Texas, p. 207.

137. TGL 0-53489 Beurfeilung der elektrolytischen Korosionswirkung.

138. Toder E. H. Encapsulation of capacitors. - Electron. Component, 1969, № 3, p. 13.

139. Tororrian K. A.: Parameters in transfer molding j. w. s. 708. - Annual technical conference. 100 Years of American Plastics Progress. 6-10 May, v. 14, p. 48-55.

140. Tschanz P. Niederdruckpressmassen in der Electrotechnik.- Technische Rundschau, 1970, № 12.

141. Ultraclean fluids for electronic production.- Application Report AR-31. Millipore GmbH, NRF, 1969.

142. Weirather R. B. Tiong C. G.Dielectric bath prometes togetherness in ICs. - Electronics, 17 Apr., 1967, p. 123.

143. Whitby F. J. at al. Einkapselung von Bauelemente in Kunstoffe. Elektr. - Nachrichtenwesen, 1968, № 3, S. 220.

144. White M. L. encapsulation of integrated circuits. Proc. of the IEEE, 1969, № 9, p. 1610.

145. Wheatley D. L. Encapsulation of wound components. - Elektronic Components, 1969, № 3, p. 17.

146. Zecher R. F., Bell F. Encapsulation of elektrikal components utilizing liquid resin molding techniques. - SPE J., 1969, № 2, p. 40.

147. Zecher F. R. A father analysis of liquid resin molding. Proc. 9-th Electrical Insulation Conference. New York, 8-11 Sept. 1963, p. 54.

148. Голаевский 3. Стеклянные спаи, используемые в электронике. - Электронные материалы, 1974, № 7.



1 ... 27 28 29 30 31
Яндекс.Метрика