|
| |
  |
Теория строительства Книги и журналы йглавлйнид Предисловие к русскому изданию Из предисловия к первому изданию Предисловие ко второму изданию Важнейшие обозначения Часть I. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТРАНЗИСТОРА..... Глава I. РП переход............. 1.1. р-п переход в термодинамическом равновесии. Распределение потенциала в запирающем слое. Ширина запирающего слоя.......... 1.2. Смещение р-п перехода в прямом направлении 1.3. Динамические свойства р-п перехода .... 1.4. Влияние некоторых специфических эффектов свойства р-п перехода.......... 1.5. Явления пробоя р-п перехода ...... Г ;i а в а 2. Бездрейфовый транзистор. Статические характеристики 2.1. Распределение ко[щентрацнй носителей в кристаллических областях бездрейфового транзистора. Режимы работы транзистора ......... 2.2. Уравнения вольт-амперных характеристик транзистора Глава 3. Динамические свойства бездрейфового транзистора :>, 1, Распределение концентрации носителей н токов в об-ласт5г\ транзистора при п])нложении к переходам синусоидального сигнала ......... 3.2. Модуляция ширииы запирающего слоя коллектора. Эффект Мрли........... 3.3. Схема замещения -внуi])оннего» транзистора Глава 4, Дрейфовый транзистор........... 4.1. Статические характерпстнкн....... 4.2. Динамические свойства при нрпложеннн синусоидального сигнала ........... Г лава 5. «Внешний» транзистор. Учет наличия сопротивления базы Глава 6. Влияние некоторых специфических эффектов на свойства транзистора .............. 6.1. Поверхностная рекомбинация....... 6.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда в запирающих слоях транзистора ....... 6.3. Высокий уровень ипжекцин....... 6.4. Эффект оттеснения тока к краю эмиттера 6.5. Электрический прокол в транзисторе . . , ; . 6.6. Эффект усиления тока в коллекторе.....    126 132 135 139 147 155 165 169 176 178 194 196 198 6.7. Тиристорный эффект \ . . . . . . . 6.8. Видоизменения структуры запирающего слоя коллектора .............• 6.9. Эффект вытеснения базы эмиттером..... Г л а в а 7. Практические структуры плоскостных транзисторов ... 7.1. Исходные материалы......... 7.2. Методы изготовления транзисторов..... 7.3. Геометрические структуры транзисторов .... 7.4. Конструктивное оформление транзисторов в корпусе 7.5. Особенности высокочастотных, мощных и импульсных транзисторов ........... Ч а с т ь II. ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ Глава 8. Статические характеристики ......... 8.1, Семейства статических харак гернстик транзистора в схеме с общей базой......... 8.2, Семмкгва стат1Н1ескнх >арак1ернстик транзистора в с :ме с ()6ui,HM эмиттером....... 8.3, Вли ие температуры на статическ1Ю характеристики Глава 9. Границы практически используемой области семейства вольт амперных характеристик......... 9.1. Остаточные коллекторные токи /сво, Iceo, Icbk 9.2. Предельные напряжения на коллекторе 9.3. Напряжение прокола Upt....... 9.4. Папряжение :i а вит юго пробой коллектора 9.5. Макспмальньи1 коллекторный ток. Вторичный пробои 9.(). Остаточное напряжеине на коллекторе. Мапряженне насыщения транзистора........ 9.7. .Мощность потерь.......... Г л ива 10-. Линейные соотношения между напряжениями и токами в транзисторе .............. 10.1. Параметры четырехполюсников н формальные эквивалентные схемы замещения транзисторов 10.2. Связь :1ежду элементами эквивалентных схем п параметрами четырехполюснйков . . . 10.3. Входные и выходные сопротивления четырехполюсников ............. 10.4. Коэффициенты усиления........ Глава 11. Параметры четырехполюсников на низких частотах Глава 12. Частотные характеристики четырехполюсников . . . . 209 211 230 235 259 266 275 277 278 279 287 293 297 303 306 310 312 341 503  ,-г„-Т " f" 1, "- \- rV-- - i. Глава 13. Эквивалентные схемы замещения транзисторов . . . . 13.1 Схемы замещения и их физическое обоснование 13.2. Практические схемы замещения транзистора в схеме с общей базой........... 13.3. Практические схемы замещения транзистора в схеме с общим эмиттером......... 13.4. Геометрические структуры транзисторов и их схемы замещения............ 13.5. Зависимость некоторых параметров схемы замещения от положения рабочей точки ...... 353 356 Глава 14. Граничные частоты транзистора. Постоянные времени 14.1. Граничная частота fhfb и ее зависимость от положения рабочей точки и от температуры..... 14.2. Граничные частоты fhfe, /т, /i...... 14.3. Граничная частота крутизны...... 14.4. Постоянные времени транзистора..... 14.5. Усиление транзистором мощности. Максимальная частота генерацпи .......... 374 384 389 390 Глава 15. Импульсный и ключевой режимы работы транзистора 15.1. Распределение носителей в базе...... 15.2. Схема з;1меа!,сиия для импульсного и ключевого режима работы ........... 15.3. Ключевые свойства транзистора в схеме с общим эмlIттepor при омической нагрузке..... 15.4. Процессы включения и выключения транзистора 15.5. TpairjucTop как элемент, управляемый зарядом 15.6. .i0ПUП-!C и ГГМПГЛЬСПЫС Тра!Г>Л1СТ0рЫ..... 420 428 43G Глава 16. Шумы 16.1. Коэффициент шума четырехнолюспика 16.2. Физические причины шумов .... 16.3. Избыточный шум....... 16.4. Дробовый шум....... 16.5. Коэффициент шума и его физический смысл 16.6. Шумы кремниевых транзисторов. Шумы при высо ко.м \ pOBiie инжекции. Шум неизотермического эффекта............. Глава 17. Проблемы тепловых явлений в транзисторе..... 17.1. Температура запирающего слоя и потери мощности 17.2. Тепловая схема замещения транзистора . . . . 17.3. Неизотермический эффект (Mitlaufeffekt*)) . Предметный указатель........... 444 448 451 454 460 469 486 492 498 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 [ 79 ] |