|
| |
  |
Теория строительства Книги и журналы
Ск, пФ (при Ек, В) 145 (28) 2.3 (10) 2,3 (10) <20 (28 <40 (28 <75 (28) <150 (28) <8 (25) <12 (25) <24 (25) 4...10 (28) <4 (10) 40...60 (28) 8... 10 (28) 8... 12 (28) 12...20 (28) 14...20 (30) 19...35 (28) 50 33...50 (28) 50... 70 (28) <50 (10) Продолжение табл. 1.1 Высокочастотные параметры Сз. пФ (при Ез, В) 20 (0) 20 (0) 10...25 (0) 40 (0) 80 (0) 80 (0) 190 (0) 260...310 (0) Тк, ПС (при Ек, В) 10 (5) 9(5) 6(5) 88(5) <25 (10) 6...18(10) <15 (10) <12 (10) <12 (10) 9,6...15 (5) 4...10 (10) 7...14 6,2...11 (5) 10...25 (10) 0,17 3,4 2,4 1.75 0,9 0,1...0,3 0,55 0,25 0,25 1,43 0,35 1,24 0,92 0,92 2,5 3 2.5 2,5 0,23 1,0 0,12 0,06 0,06 0,05 0,02 0,025 0,06 1,5 1.5 1,3 1,25 1.9S 1.95 1.95 1,55 0.6 1,55 1,55 1,55 0,35 (кб.имп). 50 50 50 50 55 40 50 50 50 50 5Q 50 50 50 50 50 50 50 ЕкЗ.ДрП (£кэ.имп). 40 40 40 35 55 (55) 55 (55) 55 (55) 55 (55) .доп. 20 20 29 29 28 28 25 25 25 28 20 28 28 28 28 28 (35...40) 28 28 28 (40) 28 (35...40) 28 (35...40) 28 (40)
Окончание табл. 1.1 Экспериментальные параметры Схема
Если в схеме генератора ток эмиттера при пробое не возрастает или возрастает не столь заметно, то ограничения на Ябэтах можно опустить. Наоборот, если в схеме генератора возможно резкое увеличение тока при пробое, то максимальное обратное напряжение не должно превышать •£63 ДОП- Для биполярных транзисторов даются ограничения на постоянные составляющие /кОдоп. /бОдоп и максимально допустимые значения /ктах.доп. -бгаах.доп ТОКОВ Коллектора и базы. В этом же разделе указаны частотные ограничения на использование данного транзистора (/„, /в). Для ряда транзисторов указывается полоса частот, в которой он может работать без перестройки и подстройки цепей связи. Для некоторых транзисторов в справочной литературе [1.2-1.5] указываются реэистивная и реактивная составляющие входного сопротивления и оптимальное комплексное нагрузочное сопротивление, приводимое к коллекторному выводу в режиме номинальной мощности на некоторой рабочей частоте, близкой к максимальной (/ = /в). Для других оговаривается максимально допустимая входная мощность Рвх.доп. а также максимально допустимое рассогласование нагрузки (КСВдоп), которое может выдерживать транзистор определенное время, в течение которого должна сработать система защиты. 4. Тепловые параметры: максимально допустимая температура переходов транзистора <п.доп и только тепловое сопротивление переход (кристалл) - корпус Ддк транзистора, поскольку генераторные транзисторы могут быть использованы только с теплоотводом - радиатором. 5. Экспериментальные параметры: экспериментальные характеристики при работе в условиях, близких к предельно допустимым по какому-либо признаку (параметру) и ограничивающих мощность транзистора так, чтобы можно было гарантировать достаточную надежность его работы. Приводятся значения частоты /, мощности Р, КПД и коэффициента усиления по мощности Кр в разах {Рн/Рвк) или в децибелах 10lg(PH/PBx) (в скобках) при напряжении коллекторного питания Е, а также схема включения транзистора и режим его работы. Обычно режим работы транзистора выбирается близким к граничному с углом отсечки коллекторного тока в = 90° (непрерывный режим, класс В). Для некоторых транзисторов приводятся данные при работе в ключевом режиме или в режиме линейного усиления в классе В или АВ. В последнем случае энергетические характеристики приводятся при усилении стандартного испытательного двухтонового (или трехтонового) сигнала, используемого при построении радиотрактов однополосных и телевизионных передатчиков. При этом для типового режима работы транзистора указывается гарантированный максимальный уровень внеполосных составляющих ЛГз/ или Мз в децибелах. Для некоторых транзисторов одновременно приводятся энергетические характеристики при усилении колебаний как с постоянной, так и с переменной амплитудой. Важно, что во втором случае мощность и КПД снижаются примерно в 1,5...2 раза. Для так называемых сверхлинейных транзисторов даются энергетические характеристики при работе без отсечки тока в классе А {в = 180°). Для балансных транзисторов (транзисторных сборок) значение мощности Рвых. тепловое сопротивление Дпк, сопротивление Гвас, предельно допустимые токи даются в расчете на две структуры, а емкости коллекторного и эмиттерного переходов, индуктивности выводов - в расчете на один кристалл. Это относится и к транзисторам, представляющим два одинаковых транзистора, размещенных рядом в одном корпусе или на общем основании. Важно отметить, что приводимые значения мощности и КПД на тот или иной транзистор даются при условии работы на согласованную нагрузку. Практически с учетом возможной работы в каскадах передатчиков на рассогласованную нагрузку, а также для повышения надежности снижают номинальную мощность транзистора в 1,5.. .2 раза. Часто при этом одновременно понижают напряжение коллекторного питания. Как правило, экспериментальные характеристики даются на достаточно высокой частоте /, близкой к Д, где коэффициент усиления по мощности еще удовлетворителен [Кр > 3). Таким образом, экспериментальные данные могут являться исходными для выбора типа транзистора, так как, например, превышение значений мощности Рд над Р приводит к снижению надежности, а превышение значения частоты / ,над / - к неприемлемому практически снижению коэффициента усиления по мощности, поскольку коэффициент усиления Кр на частоте / приблизительно пропорционален Kp{f/f) (см. § 1.6). Полевые транзисторы. Полевые транзисторы выпускаются с затвором на основе р-п-перехода, с изолированным затвором (МДП-транзисторы) и с барьером Шоттки (ПТШ). Сперва рассмотрим МДП-транзисторы, обеспечивающие по сравнению с первыми гораздо более высокие генерируемые мощности. В конце будут рассмотрены транзисторы с барьером Шоттки. Полевые МДП-транэисторы выгодно отличаются от биполярных благодаря ряду преимуществ. К первому из них можно отнести меньшее влияние температуры на их свойства вследствие отрицательного температурного коэффициента тока стока, а также отсутствие вторичного пробоя. Это значительно повышает их эксплуатационную надежность, и в частности позволяет включать большое число транзисторов параллельно (до 12 в диапазоне частот до 100 МГц и до 20 в каждое плечо двухтактных генераторов в диапазоне 0,1.. .1,0 МГц). Благодаря более высокой термостабильности полевые транзисторы, например диапазона 400... 1000 МГц, могут устойчиво работать и на более низких частотах, вплоть до 1,5 МГц. К достоинствам МДП-транзисторов следует отнести значительно меньшие длительности включения и выключения, отсутствие или существенное ослабление процессов накопления заряда, определяющих инерционную нелинейность транзисторов. Это снижает Паразитную фазовую модуляцию, так называемую амплитудно-фазовую конверсию (АФК) в генераторах, работающих в режиме усиления ко-•"ебаний с переменной амплитудой или осуществляющих амплитудную Модуляцию. Помимо меньшей АФК по линейности амплитудной передаточной характеристики в большом диапазоне рабочих токов МДП- 0 1 2 3 [ 4 ] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||