|
| |
  |
Главная » Книги и журналы 1 2 3 4 5 ... 33
МГц 150... 270 700... 1400 400... 750 400... 700 400. ..450 300... 700 300... 650 300... 450 400... 700 250...400 220... 400 >200 240 >240 >350 >300 600.. .1400 600... 1700 500... 1000 >350 1000. ..1250 500... 900 >350 500. ..900 500... 900 600... 1200 450... 900 600... 1000 600... 1200 >б60 >1000 350... 650 500... 650 >660 Ск, пФ (при Ек. В) 350... 450 (50) 15...20 10...15 (10) 16...25 (10) 50...75 (10) 8... 15 (28) 20...35 (23) 50... 65 (28) 130...180 (12) 165...240 (28) 240...330 (28) <215 (28) <55 (28) <155 <160 (28) 7,8... 12 (28) <12 (28) 9,5...15 (12,6) 16...30 (12,6) 44...60 (12,6) <10 (28) 2,7...4,1 (10) 5...9 (28) 10...20 (30) 7... 16 (28) 1,6...3,2 (28) 75...120(12) 62...80 (28) 130. ..170 (28) 125...180 (28) 195 (28) 15...30 (28) 30...60 (28) 42 (28) Продолжение табл. 1.1 Высокочастотные параметры Сэ, пФ (при Еэ, В) 13000... 15000 (0) 36...55 (0) 80... 100(0) 160... 410(0) 45... 100 (0) 150...350(0) 350... 700 (0) 1800...2100 (0) 2800...3800 (0) 130... 170 (0) 90... 170 <27 (0) 16... 21 (0) 15...60 (0) 190...250(0) 70... 160 (0) 120...300 (0) 1200 (0) 750...930 (0) 1800... 2100 (0) 170...350 (0) 350...700 (0) Тк, ПС (при Ек. В) 9...25 (8) 7...20 (10) 7...20 (10 9...20 (10 7,5...20 (10) 8...20(10) 20... 25 (10) 12 (5) 18 (10) 20...40 (10) <30 (5) 25 (5) 30 (5) 30 <15 (10) 15 (10) 8...20 (10) 22...35 (10) 15...40 (10) 10 (10) 20. ..35 (10) 5...20 (20) <15 (10) 5...20 (20) 5...20 (20) 12,5 (5) 8(10) 11 (10) 11...25 (10) 14 (10) <15 (5) <20 (10) <20 (10) нГн 1.7 1.2 1,0 1,7 1.1 0.9 0,49 0.29... 0,47 0,18 0,15 0,45 0.36 0,46 2.5...4.0 4,0 0.38 0.35.. .0.54 0,24...0.43 0,17 нГн 0,45 0.45 0.15 2,9 2,6 2,4 2,9 2,5 2,4 0,6 1.47... 1,92 0,56 0,8 1.5 1,25 1.26 2,5...4,0 4.0 3,1 2.5...4,0 0,49 1.57...2.05 1,43... 1,84 2.5 2,5 0,8 нГн 2.4 2,4 2.4 2.4 2.4 2,4 ...2,03 0,1 1,2 0.9 2.5...4.0 4.0 - 2,4 2,38 2,5 2.5... 4,0 1,6 1.6...2,08 1,6. ..2,03 0.87 2.0 2,0 1,0 Екб.аоп (кб.имп), в 36 36 36
Продолжение табл. 1.1
Ск, пФ (при Ек, В) 145 (28) 2.3 (10) 2,3 (10) <20 (28 <40 (28 <75 (28) <150 (28) <8 (25) <12 (25) <24 (25) 4...10 (28) <4 (10) 40...60 (28) 8... 10 (28) 8... 12 (28) 12...20 (28) 14...20 (30) 19...35 (28) 50 33...50 (28) 50... 70 (28) <50 (10) Продолжение табл. 1.1 Высокочастотные параметры Сз. пФ (при Ез, В) 20 (0) 20 (0) 10...25 (0) 40 (0) 80 (0) 80 (0) 190 (0) 260...310 (0) Тк, ПС (при Ек, В) 10 (5) 9(5) 6(5) 88(5) <25 (10) 6...18(10) <15 (10) <12 (10) <12 (10) 9,6...15 (5) 4...10 (10) 7...14 6,2...11 (5) 10...25 (10) нГн 0,17 3,4 2,4 1.75 0,9 0,1...0,3 0,55 0,25 0,25 1,43 0,35 1,24 0,92 0,92 нГн 2,5 3 2.5 2,5 0,23 1,0 0,12 0,06 0,06 0,05 0,02 0,025 0,06 нГн 1,5 1.5 1,3 1,25 1.9S 1.95 1.95 1,55 0.6 1,55 1,55 1,55 0,35 Екб (кб.имп). в 50 50 50 50 55 40 50 50 50 50 5Q 50 50 50 50 50 50 50 ЕкЗ.ДрП (£кэ.имп). в 40 40 40 35 55 (55) 55 (55) 55 (55) 55 (55) в 20 20 29 29 28 28 25 25 25 28 20 28 28 28 28 28 (35...40) 28 28 28 (40) 28 (35...40) 28 (35...40) 28 (40)
г Окончание табл. 1.1 Экспериментальные параметры Схема
Если в схеме генератора ток эмиттера при пробое не возрастает или возрастает не столь заметно, то ограничения на Я'бэтах можно опустить. Наоборот, если в схеме генератора возможно резкое увеличение тока при пробое, то максимальное обратное напряжение не должно превышать £63 ДОП- Для биполярных транзисторов даются ограничения на постоянные составляющие /кОдоп. /бОдоп и максимально допустимые значения /ктах.доп. -бгаах.доп ТОКОВ Коллектора и базы. В этом же разделе указаны частотные ограничения на использование данного транзистора (/ , /в). Для ряда транзисторов указывается полоса частот, в которой он может работать без перестройки и подстройки цепей связи. Для некоторых транзисторов в справочной литературе [1.2-1.5] указываются реэистивная и реактивная составляющие входного сопротивления и оптимальное комплексное нагрузочное сопротивление, приводимое к коллекторному выводу в режиме номинальной мощности на некоторой рабочей частоте, близкой к максимальной (/ = /в). Для других оговаривается максимально допустимая входная мощность Рвх.доп. а также максимально допустимое рассогласование нагрузки (КСВдоп), которое может выдерживать транзистор определенное время, в течение которого должна сработать система защиты. 4. Тепловые параметры: максимально допустимая температура переходов транзистора <п.доп и только тепловое сопротивление переход (кристалл) - корпус Ддк транзистора, поскольку генераторные транзисторы могут быть использованы только с теплоотводом - радиатором. 5. Экспериментальные параметры: экспериментальные характеристики при работе в условиях, близких к предельно допустимым по какому-либо признаку (параметру) и ограничивающих мощность транзистора так, чтобы можно было гарантировать достаточную надежность его работы. Приводятся значения частоты /, мощности Р^, КПД и коэффициента усиления по мощности К'р в разах {Рн/Рвк) или в децибелах 10lg(PH/PBx) (в скобках) при напряжении коллекторного питания Е', а также схема включения транзистора и режим его работы. Обычно режим работы транзистора выбирается близким к граничному с углом отсечки коллекторного тока в = 90° (непрерывный режим, класс В). Для некоторых транзисторов приводятся данные при работе в ключевом режиме или в режиме линейного усиления в классе В или АВ. В последнем случае энергетические характеристики приводятся при усилении стандартного испытательного двухтонового (или трехтонового) сигнала, используемого при построении радиотрактов однополосных и телевизионных передатчиков. При этом для типового режима работы транзистора указывается гарантированный максимальный уровень внеполосных составляющих ЛГз/ или Мз в децибелах. Для некоторых транзисторов одновременно приводятся энергетические характеристики при усилении колебаний как с постоянной, так и с переменной амплитудой. Важно, что во втором случае мощность и КПД снижаются примерно в 1,5...2 раза. Для так называемых сверхлинейных транзисторов даются энергетические характеристики при работе без отсечки тока в классе А {в = 180°). Для балансных транзисторов (транзисторных сборок) значение мощности Рвых. тепловое сопротивление Дпк, сопротивление Гвас, предельно допустимые токи даются в расчете на две структуры, а емкости коллекторного и эмиттерного переходов, индуктивности выводов - в расчете на один кристалл. Это относится и к транзисторам, представляющим два одинаковых транзистора, размещенных рядом в одном' корпусе или на общем основании. Важно отметить, что приводимые значения мощности и КПД на тот или иной транзистор даются при условии работы на согласованную нагрузку. Практически с учетом возможной работы в каскадах передатчиков на рассогласованную нагрузку, а также для повышения надежности снижают номинальную мощность транзистора в 1,5.. .2 раза. Часто при этом одновременно понижают напряжение коллекторного питания. Как правило, экспериментальные характеристики даются на достаточно высокой частоте /, близкой к Д, где коэффициент усиления по мощности еще удовлетворителен [Кр > 3). Таким образом, экспериментальные данные могут являться исходными для выбора типа транзистора, так как, например, превышение значений мощности Рд над Р^ приводит к снижению надежности, а превышение значения частоты / ,над / - к неприемлемому практически снижению коэффициента усиления по мощности, поскольку коэффициент усиления Кр на частоте / приблизительно пропорционален Kp{f/f) (см. § 1.6). Полевые транзисторы. Полевые транзисторы выпускаются с затвором на основе р-п-перехода, с изолированным затвором (МДП-транзисторы) и с барьером Шоттки (ПТШ). Сперва рассмотрим МДП-транзисторы, обеспечивающие по сравнению с первыми гораздо более высокие генерируемые мощности. В конце будут рассмотрены транзисторы с барьером Шоттки. Полевые МДП-транэисторы выгодно отличаются от биполярных благодаря ряду преимуществ. К первому из них можно отнести меньшее влияние температуры на их свойства вследствие отрицательного температурного коэффициента тока стока, а также отсутствие вторичного пробоя. Это значительно повышает их эксплуатационную надежность, и в частности позволяет включать большое число транзисторов параллельно (до 12 в диапазоне частот до 100 МГц и до 20 в каждое плечо двухтактных генераторов в диапазоне 0,1.. .1,0 МГц). Благодаря более высокой термостабильности полевые транзисторы, например диапазона 400... 1000 МГц, могут устойчиво работать и на более низких частотах, вплоть до 1,5 МГц. К достоинствам МДП-транзисторов следует отнести значительно меньшие длительности включения и выключения, отсутствие или существенное ослабление процессов накопления заряда, определяющих инерционную нелинейность транзисторов. Это снижает Паразитную фазовую модуляцию, так называемую амплитудно-фазовую конверсию (АФК) в генераторах, работающих в режиме усиления ко- ебаний с переменной амплитудой или осуществляющих амплитудную Модуляцию. Помимо меньшей АФК по линейности амплитудной передаточной характеристики в большом диапазоне рабочих токов МДП- транзисторы оказываются лучше биполярных, хотя и уступают современным /линейным радиолампам (см. § 1.4). В МДП-транэисторах более низкий уровень дробовых шумов. Важно, что он не растет с повышением выходной мощности, обеспечивая тем самым хорошие показатели по уровню внеполосных излучений. Малая инерционность процессов в МДП-транзисторе позволяет рассматривать его работу в схемах генераторов как полупроводниковую лампу со всеми преимуществами, связанными с низковольтным питанием (десятки - сотни вольт) и отсутствием накала. Основной схемой включения МДП-транзисторов является схема с общим истоком (01/1), позволяющая получать большое усиление по мощности при достаточно устойчивой работе генератора. На относительно низких частотах входное сопротивление в схеме с ОИ близко к емкостному и поэтому обеспечивается коэффициент усиления по мощности, близкий к бесконечности. Благодаря высоким входным и нагрузочным сопротивлениям и отсутствию ограничения на /н МДП-транэисторы более пригодны для построения широкодиапазонных генераторов с рабочими частотами от /н О до /в = /втах. Современные МДП-транзисторы по уровню колебательной мощности догнали и перегоняют биполярные. По величине остаточного напряжения на стоке или эквивалентного сопротивления Гнас они не усту- , пают биполярным, а учитывая более высокие рабочие напряжения на стоке, достигающие 500... 1000 В, по КПД заведомо их превышают. На- j пример, в ключевом режиме относительные потери на Гнас могут со-, ставлять менее 1 %, т.е. КПД непосредственно транзистора (без учета^ потерь в LC-элементах) может достигать 99 %. Однако из-за высо ких переменных напряжений на стоке и затворе растут нагрузочные и входные сопротивления, что ведет к большему влиянию (шунтирующему действию) выходных и входных емкостей. В частности, это ограничивает реализацию высокоэффективного ключевого режима частотами 1...10 МГц. Кроме этого, у МДП-транзисторов ниже допустимая температура структуры (кристалла), хуже радиационная стойкость. Кроме того, лавинный пробой в МДП-транзисторах происходит за наносекунды, а не за микросекунды, как в биполярных, и поэтому системы защиты от такого пробоя практически невыполнимы. Перечисленные недостатки несколько сдерживают тенденцию вытеснения биполярных транзисторов МДП-полевыми. На рис. 1.4 показаны условное обозначение, эквивалентная схема и представлены проходные и выходные статические зависимости тока стока: г'с от Сз при бс = const и г^. от Сс при = const. Здесь помимо отсечки следует выделить две области, существенно различающиеся по своим свойствам; область насыщения и активную. В области насыщения, т.е. при малых напряжениях на стоке и больших напряжениях на затворе, ток стока изменяется приблизительно пропорционально напряжению стока г'с = Сс/гнас; при больших напряжениях на стоке (активная область) ток стока мало зависит от напряжения на стоке и в основном определяется напряжением на затворе: = 5(ез - £отс). где Гнас. S и  Рис. 1.4 Еотс - эквивалентные сопротивление транзистора в области насыщения, крутизна в активном состоянии и напряжение отсечки тока стока. Конечный наклон выходных характеристик от в активной области учитывается сопротивлением Д,- в эквивалентной схеме на рис. 1.4,6. Важно отметить, что в отличие от электронных ламп в МДП-транэисторах, во-первых, напряжение отсечки для тока стока положительное, Еотс > О, во-вторых, транзисторы пропускают отрицательный ток стока г'с < 0. Последнее объясняется тем, что канал полевого транзистора может пропускать ток стока в обоих направлениях. Однако технология изготовления мощных МДП-транзисторов такова, что параллельно каналу (сток-исток) образуется р-п-диод. При больших по величине отрицательных токах стока, когда напряжение на канале превышает напряжение отсечки Еотс ~ 0,7 В р-п-перехода этого дио-Да, он открывается и начинает пропускать через себя этот ток. Однако из-за накопления неосновных носителей в р-п-переходе при запирании полевого транзистора (бз < Еотс) ток стока прекратится только через время tpac, т.е. после того, как неосновные носители в р-п-переходе Диода полностью рассосутся. При работе на высоких частотах необходимо учитывать паразитные емкости полупроводниковой структуры транзистора (см. рис. 1.4,6). При общем истоке и соединенной с ним подложкой емкость С™ определяется в основном емкостью р-п-перехода, она имеет нелинейную зависимость от напряжения на стоке, причем Сси{Еси) C*ao/\/e*je где Сси - значение емкости при напряжении Е* Емкость Скан пред-35
ставляет собой емкость конденсатора между металлизацией затвора и проводящей областью истока. Сопротивление кан. включенное с ней последовательно, учить|вает потери из-за конечного сопротивления канала. Емкость Ссз образуется подобным конденсатором между металлизацией затвора и областью стока. В схеме на рис. 1.4,б добавлены эквивалентные сопротивления материалов затвора Гз, истока Ги и стока Гс, а также индуктивности выводов транзистора L, Lc и Ьи- Таблица 1.2 Высокочастотные параметры
В табл. 1.2 для мощных МДП-транзисторов с п-проводимостью канала приведены: параметры идеализированных статических характеристик (крутизна S, сопротивление насыщения Гдас, напряжения отсечки Еотс 1 внутреннее сопротивление /?,); высокочастотные параметры (емкости Скан. Ссз и Сси при определенных напряжениях Ези и £си. сопротивления Гз, Гкан. и и Гс, а также индуктивности выводов L, L и Lc). Если величины сопроти-
 Окончание табл. 1.2 400 400 400 <400 400 400 400 400 400 400 $400 <400 <400 <400 <1500 0.SOO <1500 $1000 $1000 $1000 $1000 $1000 $1000 $2250 Тепловые параметры <С.ДОО, С 155 150 150 155 150 150 150 150 150 150 150 150 150 °С/Вт (Рр.с, Вт) 25 1,5 1,5 4,0 (3) (15) (30) (3) (6) (15) 1,5 1,5 (250) (250) 10...15 (160) 10...15 Экспериментальные параметры МГц 30 60 60 100; 60 60 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400; 200 400 1000 1000 400 1000 400 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1760 Ри. Вт 0,09... 0,06 30... 40 50... 75 >10 0,8...1,8 3 15 30 3 6 15 30... 41 50... 60 70... 90 100... 120 100... 120 150... 165 200... 240 250... 280 1...1,4 3...4 7 4...6; 10 10... 12 17... 22 25...30 22...30 50... 55 70... 78 >1,0 7,6... 16 13...25 13...25 7...12,5; 10... 16 6,6... 15,4; 1,7...4,0 >8,7 >6,3 >5,0 >4,7 >12 >4,7 4...11 3...18,5 4...5,4 4...5 6...6,7 7...7,4 13 6...6,8 6,2...6,7 8...15 1,77...3 >3,6 3...4,7; >5,2 3...4 4... 5 4...5 4...5 4...4,4-4 >2,2 п, 49...53 49...53 35... 44 >50 >50 >50 >50 >50 >50 40... 50 40... 55 40...49 46...50 50... 56 52...58 57 45...53 50... 55 25...33 32...38 33...40 32... 39 32...36 >30 в 10 55 55 50 12 12 12 12 12 12 40 40 45 45 50 50 40 45 45 45 50 45 35 Режим работы Класс А Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В Класс В влений не приводятся, то для приближенных расчетов надо принять Дг = ОО, а Гз, Гкан, и И Гс ВЗЯТЬ раВНЫМИ НуЛЮ. в следующих разделах приводятся предельно допустимые, тепловые и экспериментальные параметры МДП-транзисторов, аналогичные .параметрам в табл. 1.1 для биполярных транзисторов. У полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) инерционность процессов на один-два порядка меньше, чем у полевых транзисторов с р-п-переходом и МДП-транзисторов. Кроме того, технология изготовле- ния барьера Шоттки позволяет уменьшать межэлектродные расстояния вплоть до субмикронных размеров. Это, а также получение больших скоростей пролета носителей при относительно низкой напряженности поля в арсениде галия по сравнению с кремнием позволяет существенно снизить времена пролета и повысить граничную частоту усиления. Для современных маломощных транзисторов из арсенида галия она достигает 80... 100 ГГц. Мощные ПТШ работают на частотах до 25.. .45 ГГц, причем они превосходят биполярные транзисторы по уровню мощности  Рис. 1.5 И кпд на частотах выше 6 ГГц (благодаря меньшим значениям Гнас), а по уровню нелинейных искажений при усилении сигналов переменной амплитуды и шумовым параметрам - на частотах выше 1 ГГц. Условное обозначение ПТШ приведено на рис. 1.5,а. Для отображения его усилительных свойств в диапазоне УВЧ-СВЧ используется эквивалентная схема на рис. 1.5,б'[1.49], содержащая дифференциальные параметры: емкости затвор-канал Сзк. сток-затвор Ссз и сопротивление канала Гкан, зависящие от действующих в схеме постоянных напряжений Ез, Ее, Есз', генераторы токов стока г'*, затвора г* и стока-затвора г*з, определяемых мгновенными значениями напряжений e, Сс, без, емкость сток-канал Сек, а также Гз, Гс, Ги -сопротивления пассивных областей затвора, истока и стока, которые принимаются постоянными. Кроме того, в диапазоне УВЧ-СВЧ необходимо учитывать более сложную эквивалентную схему периферийных частей транзистора. В большинстве конструкций ПТШ подложка транзистора соединяется с выводом истока. Поэтому емкости контактных площадок затвора и истока С и С в схеме рис. 1.5,6 соединены с истоком. Индуктивности выводов затвора и стока разделяются паразитными емкостями выводов затвора и стока на корпус Сз и С'с на две составляющие- непосредственно индуктивности выводов и индуктивности перемычек корпус-кристалл L, L . На рис. 1.5,6 приведены входные г'з (ввх) и проходные гс(евх), а на рис. 1.5,г- выходные гс(евх) статические характеристики. Для ПТШ характерны отрицательные значения напряжения отсечки тока стока - -(2...6) В. Зависимость тока стока от напряжения на затворе можно, как и для МДП-транзисторов, представить через крутизну ic = 5(ез - Еотс) при бз > Еотс. где S = 27г/тСзк - эквивалентная крутизна тока стока; Д - граничная частота по току ПТШ [149]. Поскольку /т и Сзк незначительно зависят от напряжений на затворе и стоке (в активном состоянии), то можно считать /т = const, Сзк = const и проходную характеристику 1с{ез). не зависящей от вс, а выходные характеристики ic от Сс в активном состоянии - горизонтальными линиями. На рис. 1.5,г штриховой линией показана эквивалентная линия граничного режима. Важно, что она начинается не с нуля, а с бс = Есо ~ = О, 5 ... 1, О В - порогового напряжения стока, а ее наклон (крутизна) определяется эквивалентным сопротивлением насыщения г„ас = Гс + г^-Снижение тока ic левее линии граничного режима обусловлено резким уменьшением граничной частоты /т. При положительном смещении на затворе > Еотс.з = О, 5... 1 В появляется ток затвора, который можно считать зависящим линейно от напряжения на затворе ь = 5з(ез - Еотс.з). где 5з = 1/(гз + Гд) - крутизна тока затвора. На эквивалентной схеме рис. 1.5,6 появление тока отражено включением соответствующего генератора тока. Как правило, режим работы ПТШ выбирают так, чтобы работать без тока затвора, т.е. при Езтах < Еотс.з- С ДруГОЙ СТОрОНЫ, ПрИ 63 < Еотс СуЩеСТВеННО ВОЗ- растают сопротивление Гкан и емкость Ссз, вызывающие отрицательную обратную связь, что ведет к резкому уменьшению коэффициента усиления по мощности транзистора. Кроме того, переменное напряжение на стоке ограничивают так, чтобы отсутствовал ток г'сз. По этим причинам для получения достаточно большого усиления на столь высоких частотах (до 25.. .45 ГГц) в ПТШ используют, как правило, режимы А и АВ и реже на пониженных частотах режим В, когда имеется достаточный запас в коэффициенте усиления по мощности. Кроме того, минимальное напряжение на стоке должно быть не ниже Есо + 1с{гс + Ги), чтобы режим работы был недонапряженным или граничным. В табл. 1.3 приведены параметры идеализированных статических характеристик, высокочастотные, предельно допустимые и тепловые параметры, а также экспериментальные характеристики, обеспечиваемые данным ПТШ. Обозначения в табл. 1.3 пояснены в тексте (см. выше), на эквивалентной схеме и статических характеристиках на рис. 1.5. В последнее время прослеживается тенденция перехода к гибридным интегральным схемам (ГИС), как это имеет место в вычислительных, приемоусилительных и других маломощных устройствах, а так-ке при построении синтезаторов частоты и возбудителей радиопередатчиков. Помимо повышения технологичности производства и на-
дежности устройств одним из главных факторов перехода является снижение массогабаритных параметров, что особенно важно при создании усилителей мощности для мобильных и носимых портативных радиосистем. Поэтому первые отечественные серийно выпускаемые усилительно-генераторные модули на базе ГИС разработаны именно для этих целей. В табл. 1.4 приведены технические характеристики двух- и трехкаскадных усилителей мощности [1.5.3]. Здесь же приведены технические характеристики усилителей, выпускаемые фирмой MOTOROLA. Выходные мощности интегральных усилителей, предназначенных в первую очередь для систем подвижной радиосвязи, составляют прибли- Таблица 1.3  0,36 0,08 0,04 0,04 0,04 0,08 0,25 0,025 12,5 1,25 2,5 2,5 2,5 1.25 0,075 3,0 3,0 3,0 1,5 0,07 0,15 0,15 .0,15 0,075 0,05 0,6 0,6 0,6 0,6 0,3 0,3 0,3 0,2 0,6 0,6 0,6 0,6 0,25 0,5 0,5 0,5 0,25 0,5 0,5 0,5 0,5 0,85 0,35 0,35 0,35 0,7 0,25 0,5 0,5 0,5 0,5 0,1 0,1 0,1 0,2 0,07
(5) 8 7 (5) 7 (5) 7 (5) 7,5 (-5) 3.5 3.5 3 3 3 3 (-3) (-3) (-3) (-3) (-3) (-3) (-3) (-3) зительно от 1 до 20 Вт в диапазоне частот 40... 1785 МГц. Особо следует отметить линейные интегральные усилители мощности для телевизионных передатчиков диапазона 470...860 МГц, предназначенных для совместного усиления радиосигналов изображения и звукового сопровождения, мощность которых достигает 180 Вт при уровне интермодуляционных искажений -50 дБ. 1 2 3 4 5 ... 33 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||